MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管
MOS管即(ji)MOSFET，中文名金屬氧(yang)化物半導體絕緣柵(zha)場效應管。其特性，輸入阻抗(kang)高、開關速度快(kuai)、熱(re)穩定(ding)性好(hao)、電壓控(kong)制電流等特性。
IGBT管
IGBT中(zhong)文名絕(jue)緣柵(zha)雙極型場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)，是(shi)MOS管(guan)(guan)(guan)與晶(jing)體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)組合，MOS是(shi)作為輸入管(guan)(guan)(guan)，而晶(jing)體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)作為輸出(chu)管(guan)(guan)(guan)。于是(shi)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)功率做的(de)挺大，因此兩者組合后即得到了MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)優點(dian)又獲(huo)得了晶(jing)體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)優點(dian)。
綜(zong)上所述的(de)兩種晶體(ti)管，是(shi)目前(qian)電子(zi)設備使用頻(pin)率(lv)很(hen)高的(de)電子(zi)元器件，兩者在外形及靜態(tai)參數極其相(xiang)似，某些電子(zi)產品是(shi)存在技(ji)術壟(long)斷(duan)， 在電路中有時它(ta)們的(de)型號是(shi)被擦掉(diao)的(de)，截止目前(qian)，它(ta)們在命名標(biao)準及型號統又沒有統一標(biao)準，而外型及管腳(jiao)的(de)排(pai)列相(xiang)似，根本無規律可循，成為維修過程中的(de)攔路虎，如(ru)何區分和判斷(duan)成為必要(yao)手段。
MOS管和IGBT管的辨別(bie)
帶阻(zu)尼的(de)NPN型(xing)IGBT管與(yu)N溝道增(zeng)(zeng)強型(xing)MOMS管的(de)識別(bie)帶阻(zu)尼的(de)NPN型(xing)IGBT管與(yu)N溝道增(zeng)(zeng)強型(xing)MOMS管它(ta)們(men)的(de)柵極位置(zhi)一(yi)樣，IGBT管的(de)C極位置(zhi)跟MODS管的(de)D極位置(zhi)相對應(ying)，IGBT管的(de)e極位置(zhi)跟MODS管的(de)S極位置(zhi)相對應(ying)，對它(ta)們(men)的(de)好壞判斷及(ji)及(ji)區(qu)分可(ke)以(yi)用動靜態測量方法來完(wan)成。
一、靜態(tai)測量判斷MOS管(guan)和IGBT管(guan)的好壞
先將兩個(ge)管(guan)子的(de)管(guan)腳(jiao)短路放掉靜電(dian)，MOS管(guan)的(de)D極(ji)與S極(ji)之間(jian)有個(ge)PN接，正向(xiang)導通反向(xiang)截(jie)止，于是有Rgd=Rgs=Rds=無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，Rsd=幾(ji)千(qian)歐(ou)。IGBT管(guan)的(de)G極(ji)到(dao)c、e極(ji)的(de)電(dian)阻(zu)(zu)應(ying)為無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，即(ji)Rgc=Rge=無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，而IGBT管(guan)的(de)之間(jian)有阻(zu)(zu)尼(ni)二極(ji)管(guan)的(de)存在，因此具有單向(xiang)導電(dian)反向(xiang)截(jie)止特性，即(ji)Rce=無(wu)窮(qiong)(qiong)(qiong)大，Rec=幾(ji)千(qian)歐(ou)。從這里只能用(yong)萬用(yong)表的(de)電(dian)阻(zu)(zu)檔判斷出管(guan)子的(de)好壞，卻(que)區分不出是那種管(guan)子。測量得阻(zu)(zu)值很小，則說(shuo)明(ming)管(guan)子被擊(ji)穿，測量阻(zu)(zu)值很大，說(shuo)明(ming)管(guan)子內部斷路。
動態(tai)測量區分MOS管和(he)IGBT管
先用(yong)萬用(yong)表給管(guan)子的(de)柵極施加電壓，是場效(xiao)應管(guan)建立(li)起溝道(dao)，然后測(ce)量D、S及c、e之(zhi)間的(de)阻值(zhi)，根據(ju)阻值(zhi)的(de)差異來(lai)區分MOS管(guan)和(he)IGBT管(guan)。
用(yong)萬用(yong)表的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)檔測(ce)量兩(liang)個管(guan)子的(de)(de)D、S及c、e之間(jian)的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)，由于(yu)場效(xiao)應(ying)管(guan)已經建立(li)溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間(jian)呈(cheng)現電(dian)阻(zu)(zu)Rce，晶體三極(ji)管(guan)處(chu)于(yu)放大狀態的(de)(de)導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)，Rec為內部阻(zu)(zu)尼二極(ji)管(guan)的(de)(de)導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)，兩(liang)者均為幾千歐。因此根據(ju)測(ce)量可知，兩(liang)個管(guan)子的(de)(de)導通(tong)程度不一樣，MOS管(guan)的(de)(de)D、S之間(jian)電(dian)阻(zu)(zu)值是遠小于(yu)IGBT管(guan)c、e之間(jian)的(de)(de)電(dian)阻(zu)(zu)值，于(yu)是可以分辨出MOS與(yu)IGBT管(guan)。
