MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管
MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dao)體絕(jue)緣柵(zha)場效(xiao)應管。其特性，輸入阻抗高、開關(guan)速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT管
IGBT中文名絕緣柵雙(shuang)極型(xing)場(chang)效(xiao)應晶體(ti)管(guan)(guan)(guan)，是MOS管(guan)(guan)(guan)與(yu)晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)組合，MOS是作為輸(shu)入管(guan)(guan)(guan)，而晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)作為輸(shu)出管(guan)(guan)(guan)。于(yu)是三極管(guan)(guan)(guan)的(de)功率做的(de)挺大，因(yin)此兩者組合后(hou)即得到(dao)了MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)優(you)點又獲得了晶體(ti)三極管(guan)(guan)(guan)的(de)優(you)點。
綜上所述的兩種(zhong)晶體(ti)管，是目前(qian)(qian)電(dian)(dian)子設(she)備使用頻(pin)率(lv)很高的電(dian)(dian)子元器件，兩者在(zai)(zai)外(wai)形(xing)及靜態參數(shu)極其(qi)相(xiang)似，某些電(dian)(dian)子產(chan)品(pin)是存在(zai)(zai)技術壟斷， 在(zai)(zai)電(dian)(dian)路中有時它(ta)們(men)(men)的型(xing)號是被擦掉的，截止目前(qian)(qian)，它(ta)們(men)(men)在(zai)(zai)命名標(biao)準(zhun)及型(xing)號統(tong)又沒有統(tong)一標(biao)準(zhun)，而外(wai)型(xing)及管腳的排列(lie)相(xiang)似，根本(ben)無規(gui)律可循，成為維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為必要手段。
MOS管(guan)和IGBT管(guan)的辨別(bie)
帶阻(zu)尼的(de)(de)NPN型(xing)(xing)IGBT管與N溝(gou)道增(zeng)強(qiang)型(xing)(xing)MOMS管的(de)(de)識別帶阻(zu)尼的(de)(de)NPN型(xing)(xing)IGBT管與N溝(gou)道增(zeng)強(qiang)型(xing)(xing)MOMS管它(ta)(ta)們(men)的(de)(de)柵極(ji)(ji)位置(zhi)一樣(yang)，IGBT管的(de)(de)C極(ji)(ji)位置(zhi)跟MODS管的(de)(de)D極(ji)(ji)位置(zhi)相對應，IGBT管的(de)(de)e極(ji)(ji)位置(zhi)跟MODS管的(de)(de)S極(ji)(ji)位置(zhi)相對應，對它(ta)(ta)們(men)的(de)(de)好壞判(pan)斷(duan)及(ji)及(ji)區(qu)分可以(yi)用動靜態(tai)測量方法來(lai)完成。
一(yi)、靜態(tai)測量判斷MOS管(guan)和IGBT管(guan)的(de)好壞(huai)
先將兩個管(guan)(guan)子(zi)(zi)的(de)管(guan)(guan)腳(jiao)短路(lu)放掉靜(jing)電，MOS管(guan)(guan)的(de)D極(ji)與S極(ji)之間有個PN接(jie)，正向(xiang)導通(tong)反(fan)向(xiang)截(jie)止(zhi)，于是有Rgd=Rgs=Rds=無(wu)窮(qiong)(qiong)大，Rsd=幾(ji)千歐。IGBT管(guan)(guan)的(de)G極(ji)到c、e極(ji)的(de)電阻(zu)應為(wei)無(wu)窮(qiong)(qiong)大，即Rgc=Rge=無(wu)窮(qiong)(qiong)大，而IGBT管(guan)(guan)的(de)之間有阻(zu)尼二極(ji)管(guan)(guan)的(de)存在(zai)，因此(ci)具有單向(xiang)導電反(fan)向(xiang)截(jie)止(zhi)特性(xing)，即Rce=無(wu)窮(qiong)(qiong)大，Rec=幾(ji)千歐。從這里(li)只(zhi)能用(yong)萬用(yong)表(biao)的(de)電阻(zu)檔判斷(duan)出(chu)管(guan)(guan)子(zi)(zi)的(de)好壞(huai)，卻區分不(bu)出(chu)是那種管(guan)(guan)子(zi)(zi)。測量(liang)得阻(zu)值很(hen)小(xiao)，則說(shuo)明(ming)管(guan)(guan)子(zi)(zi)被擊穿，測量(liang)阻(zu)值很(hen)大，說(shuo)明(ming)管(guan)(guan)子(zi)(zi)內部斷(duan)路(lu)。
動(dong)態測(ce)量區分MOS管(guan)和IGBT管(guan)
先用(yong)萬用(yong)表給管子的(de)(de)柵極施加電壓，是場效應管建(jian)立起溝道，然(ran)后測量D、S及c、e之間的(de)(de)阻值(zhi)(zhi)，根據阻值(zhi)(zhi)的(de)(de)差異(yi)來區分MOS管和IGBT管。
用(yong)萬用(yong)表(biao)的(de)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)檔測量兩個管(guan)(guan)(guan)子的(de)D、S及c、e之間的(de)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)，由于場效應管(guan)(guan)(guan)已經建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)Rce，晶體(ti)三極(ji)管(guan)(guan)(guan)處于放大狀態的(de)導(dao)通電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)，Rec為(wei)(wei)內部阻(zu)(zu)(zu)(zu)尼二極(ji)管(guan)(guan)(guan)的(de)導(dao)通電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)，兩者(zhe)均(jun)為(wei)(wei)幾千歐。因此根據測量可知，兩個管(guan)(guan)(guan)子的(de)導(dao)通程度(du)不一樣，MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)D、S之間電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值是(shi)遠小于IGBT管(guan)(guan)(guan)c、e之間的(de)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值，于是(shi)可以分辨出MOS與(yu)IGBT管(guan)(guan)(guan)。
