JC-14還(huan)規定了(le)可靠性試驗規范，如HTRB高溫反向(xiang)偏置試驗，H3TRB高濕高溫反偏實(shi)驗，TC溫度周(zhou)次等(deng)實(shi)驗的測試方法及判(pan)定依(yi)據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的(de)職責(ze)是(shi)制(zhi)定(ding)包括硅晶體管(guan)，如雙極晶體管(guan)、場效應(ying)晶體管(guan)和(he)(he)絕緣柵晶體管(guan)，以及智能(neng)功率器(qi)件的(de)相關(guan)標準(zhun)和(he)(he)出版物，這些文(wen)件有的(de)對工程師在應(ying)用IGBT時都很有幫助，其(qi)中有如何(he)測(ce)量管(guan)腳溫度，如何(he)用紅外成像測(ce)芯片溫度以及短路(lu)測(ce)試方法等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制定了一系(xi)列(lie)測(ce)(ce)試方(fang)法(fa)，基于這些(xie)方(fang)法(fa)，可以開(kai)發實用的(de)測(ce)(ce)試儀(yi)器(qi)及測(ce)(ce)試平(ping)臺，例(li)如(ru) Mentor熱(re)瞬態測(ce)(ce)試儀(yi)T3STER就(jiu)是(shi)基于JESD51-14開(kai)發的(de)。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是(shi)指國(guo)際電(dian)工委員會。它成(cheng)立于1906年(nian)(nian)，是(shi)世界上(shang)成(cheng)立最早的(de)(de)國(guo)際性電(dian)工標(biao)準化(hua)機構，負責有(you)關電(dian)氣工程和電(dian)子工程領域(yu)中(zhong)的(de)(de)國(guo)際標(biao)準化(hua)工作。第83屆(jie)IEC大(da)會于2019年(nian)(nian)10月14日(ri)(ri)至25日(ri)(ri)在(zai)中(zhong)國(guo)上(shang)海(hai)舉(ju)辦，主(zhu)題(ti)為“質量成(cheng)就美好生(sheng)活”，共邀請(qing)100多個國(guo)家(jia)的(de)(de)3800多名專家(jia)來華與會。
半導(dao)體器件(jian)屬(shu)于(yu)TC47技術委(wei)員(yuan)會，IGBT單管(guan)和(he)模塊屬(shu)于(yu)SC47E分(fen)立半導(dao)體。這里分(fen)立半導(dao)體是區別于(yu)集成(cheng)電路(lu)，也包括模塊。英飛凌模塊設(she)計主要(yao)參(can)照IEC系(xi)列(lie)標(biao)準。
IEC60747系列(lie)標準(zhun)規定(ding)了HTRB，H3TRB，PC和TST等(deng)可靠(kao)性(xing)實驗的測試(shi)標準(zhun)，IGBT器件遵守的標準(zhun)為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應(ying)的國(guo)標是(shi)GB/T 29332—2012半導體器(qi)件分立器(qi)件，其中(zhong)第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT），英飛凌是(shi)主要起(qi)草單(dan)位之(zhi)一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應的國標(biao)是GB/T 4937.1半導體器件(jian)機械和(he)氣(qi)候試驗方法。
應用系統相關標準
IGBT應(ying)用(yong)非常廣，有些應(ying)用(yong)領域(yu)和(he)行(xing)業針對(dui)其特定應(ying)用(yong)要求，制(zhi)定了相關標準(zhun)。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日實施。英飛凌派員加入工作(zuo)(zuo)組(zu)，參加了起草工作(zuo)(zuo)。
在汽車行(xing)業(ye)中(zhong)，有兩份相關標(biao)準為業(ye)內人士(shi)熟知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它(ta)前身是(shi)LV324，由汽車行(xing)業的廠商代表編制，包括奧迪，BMW，戴姆勒(le)，保時捷，大(da)眾等。
