JC-14還(huan)規(gui)定了(le)可靠性試驗規(gui)范(fan)，如HTRB高(gao)溫(wen)反向偏置試驗，H3TRB高(gao)濕高(gao)溫(wen)反偏實(shi)驗，TC溫(wen)度周(zhou)次(ci)等(deng)實(shi)驗的測(ce)試方法(fa)及判(pan)定依據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的(de)(de)職責是制定包(bao)括(kuo)硅(gui)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)，如(ru)雙極晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)、場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)和(he)絕緣柵晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)，以及(ji)智能功率器(qi)件的(de)(de)相關(guan)標(biao)準(zhun)和(he)出版物(wu)，這些文件有(you)的(de)(de)對工(gong)程師在應用(yong)IGBT時都很有(you)幫助，其中有(you)如(ru)何(he)測(ce)量管(guan)(guan)腳溫度，如(ru)何(he)用(yong)紅外(wai)成像測(ce)芯(xin)片(pian)溫度以及(ji)短路測(ce)試方法等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制(zhi)定(ding)了一(yi)系列(lie)測(ce)試方法(fa)，基(ji)于這些(xie)方法(fa)，可以開發實用的測(ce)試儀(yi)器及測(ce)試平臺，例如 Mentor熱瞬態(tai)測(ce)試儀(yi)T3STER就是基(ji)于JESD51-14開發的。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是(shi)指國(guo)(guo)際(ji)電(dian)工委(wei)員會(hui)。它成立(li)于1906年(nian)，是(shi)世(shi)界上成立(li)最早(zao)的(de)國(guo)(guo)際(ji)性(xing)電(dian)工標準化(hua)機(ji)構，負(fu)責有關電(dian)氣工程(cheng)和電(dian)子(zi)工程(cheng)領域中的(de)國(guo)(guo)際(ji)標準化(hua)工作。第83屆IEC大會(hui)于2019年(nian)10月14日(ri)至25日(ri)在中國(guo)(guo)上海舉辦，主題(ti)為“質量成就美(mei)好(hao)生(sheng)活”，共邀(yao)請(qing)100多(duo)個(ge)國(guo)(guo)家的(de)3800多(duo)名專(zhuan)家來華與(yu)會(hui)。
半導體器(qi)件屬于TC47技(ji)術委員會(hui)，IGBT單(dan)管和模(mo)塊(kuai)屬于SC47E分立半導體。這里分立半導體是區別于集成電路，也(ye)包括(kuo)模(mo)塊(kuai)。英飛凌模(mo)塊(kuai)設(she)計(ji)主要參照IEC系列(lie)標準(zhun)。
IEC60747系列(lie)標(biao)準規定了HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠性(xing)實驗(yan)的測(ce)試標(biao)準，IGBT器件遵守(shou)的標(biao)準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應的國標是GB/T 29332—2012半(ban)導體器件分(fen)立器件，其中第9部分(fen)：絕緣(yuan)柵(zha)雙極晶體管（IGBT），英飛凌是主要(yao)起(qi)草單位(wei)之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應(ying)的國標是(shi)GB/T 4937.1半導體器件機械(xie)和(he)氣候試驗方(fang)法。
應用系統相關標準
IGBT應(ying)用(yong)非常廣，有些應(ying)用(yong)領域和行業針對其(qi)特定應(ying)用(yong)要(yao)求，制定了相(xiang)關標準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于(yu)2020年1月1日實施。英飛凌派員加入工作(zuo)組(zu)，參加了(le)起草工作(zuo)。
在汽車行業中(zhong)，有兩份相關標(biao)準為業內人士(shi)熟知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前(qian)身是LV324，由汽(qi)車(che)行業的廠商代表編制(zhi)，包括(kuo)奧迪，BMW，戴(dai)姆勒，保時(shi)捷，大(da)眾等。
