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IGBT和模塊的標準體系解讀
添加時間:2021-1-19 9:59:06 出處:恒南電子 作者:恒南電子 點擊:1593

正確理(li)解(jie)IGBT和模塊(kuai)的標準體系,對了解(jie)產(chan)(chan)品特性(xing),指導系統(tong)設計(ji)用(yong)足產(chan)(chan)品特性(xing),符合規范很有幫(bang)助,熟悉標準的工程(cheng)師會(hui)在系統(tong)設計(ji)中(zhong)更游刃有余(yu)。


IGBT絕(jue)緣柵雙極型(xing)晶體(ti)管是半導體(ti)產(chan)品,主要需要符(fu)合(he)半導體(ti)標(biao)(biao)準,包(bao)括產(chan)品標(biao)(biao)準,測(ce)試標(biao)(biao)準及機(ji)械(xie)和氣(qi)候試驗方法(fa)標(biao)(biao)準等。


功率模塊是半(ban)導體的(de)(de)一種封裝形式,通(tong)過內部芯片(pian)并聯實現更大的(de)(de)標稱電流,或設計(ji)成應(ying)用(yong)所需(xu)(xu)要的(de)(de)電路(lu)拓撲(pu)結構。它除(chu)了要符合半(ban)導體體系(xi)(xi)標準外,也需(xu)(xu)要符合應(ying)用(yong)系(xi)(xi)統的(de)(de)安全標準。針對特定應(ying)用(yong)開發(fa)的(de)(de)產品也要參照系(xi)(xi)統標準。


在整個產品標(biao)準體系中,有JEDEC,IEC,MIL等;在特定的(de)應用領域(yu),也有國(guo)家(jia)標(biao)準和行(xing)業標(biao)準。



IGBT器件標準體系



IGBT是(shi)半導體,半導體有自己的行業協會,即(ji)JEDEC,全稱Joint Electron Device Engineering Council。它是(shi)全球微(wei)電子產(chan)業的標準機構(gou),已經制定(ding)并維護著(zhu)1000余(yu)項標準與出版文件。JEDEC的主要(yao)職能包括制定(ding)術語、定(ding)義(yi)、產(chan)品特(te)征(zheng)描述與操作、測試(shi)方法、生產(chan)支持功能、產(chan)品質量與可(ke)靠(kao)性、機械(xie)外(wai)形等標準。


JEDEC有50個(ge)委員(yuan)會和分(fen)委員(yuan)會,如JC-11,JC-14,JC-25等。


JC-11: 機械(封裝外形) 標準化委員會



JC-11職(zhi)責范圍包括制定設計指導文件(jian);確定機(ji)械(xie)特性的標(biao)準(zhun)測量方法(fa),半導體封裝與(yu)(yu)組件(jian)的標(biao)準(zhun)類型與(yu)(yu)注冊類型的機(ji)械(xie)外形等,關于半導體器件(jian)的外形的文件(jian)JEDEC出版(ban)物JEP95就(jiu)有3000多頁(ye)。常(chang)見IGBT單管封裝形式TO-247就(jiu)是由JC-11委員會(hui)制定的。


JC-14: 固態產品的質量與可靠性標準化委員會



JC-14負責封裝器件和晶片級可靠性標準,硅器件芯片及封裝成品的可靠性鑒定與監測以及質量流程與方法和失效分析等。客戶常見的PCN文件 Process Change Notice的縮寫(工序改動通知 ),是按照 IPC/JEDEC聯合標準發布的J-STD-046 CUSTOMER NOTIFICATION STANDARD FOR PRODUCT/PROCESS CHANGES BY ELECTRONIC PRODUCT SUPPLIERS


JC-14還(huan)規定(ding)了(le)可靠性試(shi)驗(yan)規范,如HTRB高溫(wen)反(fan)向偏置試(shi)驗(yan),H3TRB高濕高溫(wen)反(fan)偏實(shi)(shi)驗(yan),TC溫(wen)度周(zhou)次等實(shi)(shi)驗(yan)的測試(shi)方(fang)法(fa)及判(pan)定(ding)依(yi)據。


JC-25: 晶體管委員會



JC-25的(de)(de)職責是制定包括硅晶體管,如(ru)雙極晶體管、場(chang)效應晶體管和(he)絕(jue)緣柵晶體管,以及智能功率器(qi)件的(de)(de)相關標準和(he)出(chu)版物,這些文(wen)件有的(de)(de)對工程師在應用(yong)(yong)IGBT時都很(hen)有幫助,其中有如(ru)何測(ce)量管腳溫度(du),如(ru)何用(yong)(yong)紅外成像(xiang)測(ce)芯片溫度(du)以及短路(lu)測(ce)試方法等(deng)。


JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE


JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE


JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD


此外(wai),JEDEC制定了(le)一(yi)系列測試(shi)方(fang)法,基(ji)于(yu)這些方(fang)法,可以開發實用的測試(shi)儀(yi)器及測試(shi)平臺,例如 Mentor熱瞬態(tai)測試(shi)儀(yi)T3STER就是(shi)基(ji)于(yu)JESD51-14開發的。


JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH


模塊標準體系——IEC



IEC是指國(guo)際電工委員會。它成(cheng)立于1906年,是世(shi)界上成(cheng)立最(zui)早的國(guo)際性電工標準(zhun)化機構,負責有關電氣(qi)工程(cheng)和電子(zi)工程(cheng)領域中的國(guo)際標準(zhun)化工作。第(di)83屆IEC大會于2019年10月14日(ri)至25日(ri)在中國(guo)上海舉(ju)辦,主題(ti)為“質量(liang)成(cheng)就美好生活”,共邀(yao)請100多個國(guo)家的3800多名專家來華與(yu)會。


半導(dao)體(ti)器件屬(shu)于(yu)TC47技術委員會,IGBT單(dan)管和(he)模塊(kuai)(kuai)屬(shu)于(yu)SC47E分立半導(dao)體(ti)。這(zhe)里分立半導(dao)體(ti)是區別于(yu)集成電(dian)路,也包括模塊(kuai)(kuai)。英飛凌(ling)模塊(kuai)(kuai)設(she)計(ji)主要(yao)參(can)照(zhao)IEC系(xi)列標準。


IEC60747系列(lie)標(biao)準(zhun)規定了HTRB,H3TRB,PC和TST等可靠性實驗(yan)的測(ce)試標(biao)準(zhun),IGBT器件遵守的標(biao)準(zhun)為(wei)


IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)


IEC60747-9對應的(de)國標是GB/T 29332—2012半導(dao)體器件(jian)(jian)分(fen)立器件(jian)(jian),其中第9部分(fen):絕(jue)緣(yuan)柵雙極晶體管(guan)(IGBT),英飛凌(ling)是主要(yao)起(qi)草單位(wei)之一。


IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices


機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods,對應的國標是(shi)GB/T 4937.1半導體器件機械和(he)氣候試驗方(fang)法。


應用系統相關標準



IGBT應用(yong)非常廣(guang),有些應用(yong)領(ling)域和行業針對其特定(ding)應用(yong)要求,制定(ding)了(le)相(xiang)關標準。


在直流輸電領域是高壓大電流應用,對IGBT特別的要求,SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組,制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》,并于(yu)2020年1月1日實(shi)施(shi)。英飛凌派(pai)員加入工作(zuo)(zuo)組,參(can)加了(le)起草(cao)工作(zuo)(zuo)。


在汽車行業(ye)中(zhong),有兩份相關標(biao)準為業(ye)內人士熟(shu)知:


汽車級分立半導體應力測試方法,由汽車電子委員會(AEC) 制定,標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS


汽車用IGBT模塊驗證規范,2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布,標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles,它前(qian)身是(shi)LV324,由汽車(che)行業的(de)廠商代(dai)表編制,包括奧迪,BMW,戴姆勒,保時捷,大眾等(deng)。

 

IGBT標準體系分兩部分,IGBT器(qi)件設計生產主(zhu)要(yao)參照JEDEC標準;功率模塊(kuai)主(zhu)要(yao)參照IEC標準,安全認(ren)證為UL。


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