正確理(li)解(jie)IGBT和模塊的(de)(de)標(biao)準(zhun)體系(xi)，對(dui)了解(jie)產品特(te)性，指導系(xi)統設計用足(zu)產品特(te)性，符(fu)合規范很(hen)有幫助，熟悉(xi)標(biao)準(zhun)的(de)(de)工(gong)程師(shi)會在系(xi)統設計中(zhong)更游刃(ren)有余。
IGBT絕(jue)緣柵雙極型晶體(ti)管(guan)是(shi)半導體(ti)產品，主要(yao)需要(yao)符(fu)合半導體(ti)標準(zhun)(zhun)，包括產品標準(zhun)(zhun)，測試(shi)標準(zhun)(zhun)及機(ji)械和氣(qi)候試(shi)驗(yan)方法(fa)標準(zhun)(zhun)等。
功率模塊是半導體的一種封裝形式，通過內部芯(xin)片并聯(lian)實現更大(da)的標稱電流(liu)，或設計成(cheng)應(ying)用所(suo)需要(yao)的電路拓撲(pu)結構。它除了要(yao)符合半導體體系(xi)標準(zhun)外，也需要(yao)符合應(ying)用系(xi)統(tong)的安全(quan)標準(zhun)。針對特定應(ying)用開發的產品也要(yao)參照系(xi)統(tong)標準(zhun)。
在整個產(chan)品標準(zhun)體系(xi)中，有JEDEC，IEC，MIL等；在特定的應用領域，也(ye)有國(guo)家標準(zhun)和(he)行業標準(zhun)。
IGBT是半導體，半導體有自己的(de)行業協(xie)會，即(ji)JEDEC，全(quan)稱Joint Electron Device Engineering Council。它是全(quan)球(qiu)微電子產業的(de)標(biao)準(zhun)機構，已經制定并維護著1000余項標(biao)準(zhun)與出版文件。JEDEC的(de)主要職能包(bao)括制定術語、定義、產品特征描述與操作、測試方(fang)法、生產支持功能、產品質量與可靠性(xing)、機械外形等標(biao)準(zhun)。
JEDEC有50個委員會和分委員會，如(ru)JC-11，JC-14，JC-25等。
JC-11職責范圍包括制定(ding)設計指導(dao)文件(jian)；確定(ding)機(ji)械(xie)(xie)特性的(de)標(biao)準測(ce)量方法，半導(dao)體封裝與組件(jian)的(de)標(biao)準類型與注冊類型的(de)機(ji)械(xie)(xie)外形等，關于半導(dao)體器件(jian)的(de)外形的(de)文件(jian)JEDEC出(chu)版物JEP95就(jiu)有3000多(duo)頁。常見(jian)IGBT單管(guan)封裝形式TO-247就(jiu)是(shi)由JC-11委員會制定(ding)的(de)。
JC-14負責封裝器件和晶片級可靠性標準，硅器件芯片及封裝成品的可靠性鑒定與監測以及質量流程與方法和失效分析等。客戶常見的PCN文件 Process Change Notice的縮寫(工序改動通知 )，是按照 IPC/JEDEC聯合標準發布的（J-STD-046 CUSTOMER NOTIFICATION STANDARD FOR PRODUCT/PROCESS CHANGES BY ELECTRONIC PRODUCT SUPPLIERS）。
JC-14還規定了可靠性試(shi)(shi)驗規范，如HTRB高(gao)溫(wen)反向(xiang)偏(pian)置試(shi)(shi)驗，H3TRB高(gao)濕(shi)高(gao)溫(wen)反偏(pian)實驗，TC溫(wen)度(du)周次等實驗的測試(shi)(shi)方法及判定依據。
JC-25的(de)職責是制定(ding)包括硅晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)，如雙極(ji)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)、場(chang)效應晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)和絕(jue)緣(yuan)柵晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)，以及智能(neng)功率器件的(de)相關標準和出版物，這些文件有(you)(you)的(de)對工程(cheng)師在應用(yong)IGBT時都(dou)很(hen)有(you)(you)幫助，其中有(you)(you)如何(he)測量管(guan)腳溫度，如何(he)用(yong)紅外成像測芯(xin)片溫度以及短路測試方法等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制定(ding)了一(yi)系列(lie)測試方(fang)法，基(ji)于(yu)這些方(fang)法，可以開發實用的測試儀器及(ji)測試平臺，例如 Mentor熱瞬態(tai)測試儀T3STER就(jiu)是基(ji)于(yu)JESD51-14開發的。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
IEC是指(zhi)國(guo)際(ji)電(dian)工(gong)(gong)(gong)(gong)(gong)委(wei)員會(hui)。它(ta)成立(li)于(yu)1906年，是世界(jie)上(shang)成立(li)最早的國(guo)際(ji)性電(dian)工(gong)(gong)(gong)(gong)(gong)標準(zhun)化機構，負責有關電(dian)氣工(gong)(gong)(gong)(gong)(gong)程和電(dian)子工(gong)(gong)(gong)(gong)(gong)程領域中的國(guo)際(ji)標準(zhun)化工(gong)(gong)(gong)(gong)(gong)作(zuo)。第83屆(jie)IEC大會(hui)于(yu)2019年10月(yue)14日至25日在中國(guo)上(shang)海(hai)舉(ju)辦，主題為(wei)“質量成就美好生活(huo)”，共邀請100多(duo)個國(guo)家的3800多(duo)名專(zhuan)家來華與會(hui)。
半(ban)導體器件屬于(yu)TC47技術委員(yuan)會，IGBT單管和(he)模塊屬于(yu)SC47E分(fen)立半(ban)導體。這里分(fen)立半(ban)導體是區別于(yu)集成電路，也包括(kuo)模塊。英飛凌模塊設(she)計主要(yao)參照(zhao)IEC系列標準(zhun)。
IEC60747系(xi)列標(biao)準規定了HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠性實驗的測試(shi)標(biao)準，IGBT器(qi)件遵守(shou)的標(biao)準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應的國標是(shi)GB/T 29332—2012半導體器件(jian)分(fen)立(li)器件(jian)，其(qi)中第9部(bu)分(fen)：絕緣(yuan)柵雙極(ji)晶(jing)體管（IGBT），英飛凌是(shi)主要起草(cao)單位(wei)之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應的國標是GB/T 4937.1半導(dao)體(ti)器件(jian)機械(xie)和氣(qi)候試驗方法。
IGBT應用(yong)非常(chang)廣(guang)，有(you)些應用(yong)領域和行業(ye)針對其特(te)定(ding)應用(yong)要求，制定(ding)了相關標(biao)準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日(ri)實施。英飛(fei)凌(ling)派員加(jia)入工作組，參加(jia)了起(qi)草(cao)工作。
在汽車行業中，有兩份相關標準(zhun)為業內人士熟知：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前身(shen)是LV324，由汽車行業(ye)的廠商代表編(bian)制，包括奧迪，BMW，戴姆勒，保時捷，大眾等。
IGBT標準體系分兩部分，IGBT器(qi)件設(she)計生產主要參照(zhao)JEDEC標準；功率模塊(kuai)主要參照(zhao)IEC標準，安(an)全認(ren)證為UL。
